晶圓線寬 AOI（2D-3D）設(shè)備
產(chǎn)品分類
全部分類
檢測項(xiàng)目：雙晶、大小邊、mase不良、第三金、Sio2脫/TO脫、發(fā)光區(qū)臟污、多金、背鍍偏薄/背鍍?nèi)笔АU(kuò)展條異常（斷開、缺失彎曲、刮傷）、電極/針痕異常/缺失、外延缺陷、DBR、黑點(diǎn)、PV異常、背面劃傷、暗裂、崩邊崩角、切割不良
適用場景：適用于紅黃光晶片、藍(lán)綠光晶片倒裝晶片、光通訊芯片、VCSEL芯片等
尺寸 長*寬*高： 2m *1.4m *2.2m
檢測尺寸 支持4寸、6寸產(chǎn)品
檢測準(zhǔn)確率 ＞99.95%（總不良低于2%情況下）
檢驗(yàn)精度 單個(gè)像素1.5um/pix或1.0um/pix，支持多種光源組合，最小檢測尺寸2um，測量精度0.2um
檢測模式 AI+AOI雙檢測模式
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